Gresol de grafit SiC

1.Tecnologia avançada: el mètode d'emmotllament utilitzat és l'emmotllament d'alta pressió d'estrès igual amb bona isotropia, alta densitat, alta resistència, compacitat uniforme i sense defectes.
2. Resistència a la corrosió: el gresol té un rang de temperatures de 400-1600 °C i es pot seleccionar segons diferents rangs.
3. Resistència a altes temperatures: el material inorgànic no metàl·lic utilitzat té una gran puresa i no introdueix impureses nocives en el procés de fusió del metall.
4. Resistència a l'oxidació: l'ús de fórmules avançades i materials antioxidants importats millora la capacitat antioxidant del material refractari.
Estabilitat a alta temperatura: SiC té una excel·lent estabilitat tèrmica i pot suportar altes temperatures sense deformar-se ni trencar-se.Els gresols de SiC es poden utilitzar a una temperatura de 1600 °C, cosa que els fa ideals per a aplicacions d'alta temperatura.

Resistència química: SiC és altament resistent a l'atac químic d'àcids i altres substàncies corrosives, cosa que fa que els gresols de SiC siguin adequats per al seu ús amb una àmplia gamma de productes químics, inclosos metalls fosos, sals i àcids.

Excel·lent resistència al xoc tèrmic: SiC té un baix coeficient d'expansió tèrmica i pot resistir ràpids canvis de temperatura sense trencar-se.Això fa que els gresols de SiC siguin ideals per a aplicacions que impliquen cicles ràpids d'escalfament i refrigeració.

Baixa contaminació: el SiC és un material inert que no reacciona amb la majoria de substàncies.Això significa que els gresols de SiC no contaminen els materials que s'estan processant, la qual cosa és essencial per a la investigació de la ciència dels materials i les aplicacions industrials.

Llarga vida útil: els gresols de SiC poden durar diversos anys amb la cura i el manteniment adequats.I són una opció rendible en comparació amb altres tipus de gresols.

Alta conductivitat elèctrica: SiC és un material semiconductor amb alta conductivitat elèctrica, i són adequats per al seu ús en aplicacions electròniques i semiconductors.